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石田 武和*; 北川 謙太郎*; 奥田 喜一*; 朝岡 秀人; A.I.Rykov*; 田島 節子*
Advances in Superconductivity XI, p.469 - 472, 1999/00
包晶反応を利用し、高純度、高品質なYBaCuO単結晶を育成し、双晶境界を消去した結晶を作製し、磁束格子融解転移に関して、交流磁化率、SQUID、磁気トルク測定を行った。磁束格子融解がH//Cに現れ、HC方向においても一次の相転移を観測することができた。転移の異方性は有効質量の異方による。磁束格子融解転移温度以下で観測されるイントリンシックピンによるシャープなピークを磁気トルク測定において見いだした。
藤吉 孝則*; 末吉 哲郎*; 石川 法人; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 木須 隆暢*; 宮原 邦幸*
Advances in Superconductivity XI, 1, p.597 - 600, 1999/00
光照射、イオン照射したYBaCuO薄膜について電流-電圧特性を磁場中で測定した。その結果、動的臨界指数が光照射・イオン照射の後、大きく変化することがわかった。この結果についてピニング力分布を考慮することによってデピニングモデルに基づいて解析した。
末吉 哲郎*; 石川 法人; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 木須 隆暢*; 藤吉 孝則*; 宮原 邦幸*
Advances in Superconductivity XI, 1, p.593 - 596, 1999/00
YBaCuO薄膜に200MeVのAuイオンを照射し、電流-電圧特性を磁場中で測定した。その結果、磁束のグラス温度が増加し、動的臨界指数が増加した。その結果は通常のグラス理論やボーズグラス理論に合わない。照射後の特性をデピニングモデルに基づいて説明することができた。
岡安 悟; 黒田 直志*; 岩瀬 彰宏; 神原 正*
Advances in Superconductivity XI, p.287 - 290, 1999/00
3.5GeVの高エネルギーイオンを照射し円柱状欠陥を導入したQMG-YBCO(溶融法で作製したY系超伝導体)の超伝導特性の変化を調べた。この試料はもともと多くのピン止め中心を含んでいるため臨界電流密度に顕著な差は出なかったが、磁化の緩和に大きな違いが出た。40~50Kの温度において照射量に相当する磁場(B=2ステラ)以上の磁場で一旦進んだ緩和が元に戻る現象が見られた。これは磁束ピン止めのホストがもともと存在している析出物から、照射により導入した円柱状欠陥に変わったためと考えられる。この物質は大きな磁化緩和で知られているが、この場合は高い磁場でも緩和が押さえられる。